[技术摘要] 本发明公开了一种轻掺杂漏极(Lightly doped drain)结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明以埋入式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管来取代公知的表面式轻掺杂漏极结...
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电脑方面的轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)结构,是MOSFET为了减弱漏区电场、以 闸极线路与 ldd 取决于灯管内掺杂 “低掺杂漏极”( ldd )区包围该晶体管的漏 你说的应该...
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...模型及优化 309-312 分类号： 0820 叙词： 低掺杂漏;表面电场;击穿电压;解析模型 文摘： 提出低掺杂漏(Lightly Doped Drain,LDD)功率器件表面电场和电势解析模型。
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lightly doped drain mosfet 轻掺杂漏mosfet
lightly doped drain structure ldd结构
lightly doped drain technology 轻掺杂漏极技术
B-LDD burled lightly doped drain 掩埋轻掺杂瞩
lightly y doped drain 轻掺杂漏极
gate-modulated lightly doped source drain 新型栅控轻掺杂漏区结构
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