对低介电质 (low-k dielectric) 薄膜特性的影 editor for the English edition) , Taguchi Methods / Design of Experiments,
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...转型过程中，追随逻辑晶片供应商的脚步，积极导入新材料，包括铜连接线（copper- interconnect）、低介电值（low-K dielectric）以及绝缘层上覆矽（silicon-on-insulator；SOI） 等材料。
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Extreme low-k dielectric 以及超低介电系数
low-k dielectric films 低介电常数介质薄膜
low k dielectric layer 低k介质层
low k dielectric technique 低k电介质技术
variable low k dielectric layer 可变低k介质层
On the other hand, TDDB experiments of copper interconnection have been taken to prove the performance improvement of interconnect by the use of low-k dielectric.
试验方面则进行了铜互连线的TDDB试验，来验证低k介质对互连性能的改善。
参考来源 - ULSI中互连线延迟时间的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
The synthesis, structure, properties and process interaction of low k dielectrics are reviewed. Characterization techniques for low k dielectric films are summarized.
综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展。
We have to face some Cu line issues after we use Cu to replace AL, such as the reliability with Cu and low K dielectric, and post-CMP (Chemical Mechanical Polishing) Cu line voids defect.
在引入电镀铜工艺的同时我们也不得不面对一些铜线工艺所特有的缺陷，如铜线和低K值介电质可靠性问题，以及电镀铜后产生的孔洞缺陷等问题。
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