在最近的这几年里，一些新的技术不断得被采用，比如铜互联技术以及low-k dielectrics(低介电材料)，虽然技术在不断进步，但是当由老一代制程转入新制程的时候总是会出现一些这样或者那样的问题。
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扩充低介电薄膜（low-k dielectrics）材料以及增加门极氧化物的厚度以有效地减少了泄漏电流。在采用65nm工艺后，晶体管性能提升了20%、交换功率降低了30%。
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Prescott虽然采用低介电常数绝缘体（Low-k Dielectrics）材料，这种技术是由IBM研制的，使用这种材料制作绝缘体，可以很好地降低线路间的串扰，但相对100W的功耗来说，丝毫不能减弱工作产...
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