简要报道了采用一种改进的低压金属有机化物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法制备GaNp-n结蓝光光发射二极管(LED),介绍了LED的基本特性,这种LED具有良好的I-V特性和光谱特性,室温下,在正向电压5V,...
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采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD),制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在28mA脉冲电...
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...合封装后,输出光功率在注入电流为Ith+80mA时大于8mW,完全满足甲烷气体的检测要求。2.采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了波长为1.7945μm的大应变InGaAs/InGaAsP MQW DFB激光器,对应一氧化氮的吸收谱线。
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lp mocvd 低压mocvd
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