体寿命和少数载流子的扩散长度的变化通过一个铸造多晶硅（MC-Si）的块的高度。这种变化是由于定向凝固和本机的杂质浓度的增加，从底部到顶部的锭，最后凝固过程中的金属杂质的偏析，而固化的第一...
基于474个网页-相关网页
在350°C下，于结晶硅层的顶部淀积厚75nm的n+微晶硅（mc-Si）作为源/漏极。原来的多晶硅层用活性离子腐蚀成TFT花样，n+ mc-Si也用活性离子腐蚀法刻蚀成源/漏极。
基于44个网页-相关网页
《半导体科技》 种能源的应用而言，目前它还是处于初始的开发阶段... 二氧化硅层——高效率晶体太阳能电池的关键 在用低成本的多晶硅（multicrystallinesilicon,mc-Si） 材料来替代高成本的单晶硅材料的同时，高效率的晶体太阳能电池还必须进一步提升它的性能。一种改善了光俘
基于2个网页-相关网页
mc-Si Cell 多晶硅太阳能
It may also the reasons for the appearance of SiC inclusions in mc-Si ingots for solar cells.
这也可能是太阳能多晶硅锭内部出现碳化硅夹杂的原因。
参考来源 - 太阳能多晶硅锭中夹杂的分布特性及其成因·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Through further technique optimizing, the purifying effect can be improved continually and the Mc-Si ingot with whole purity of 5n can be prepared.
通过进一步工艺优化，可以继续提高提纯效果，制备整体纯度在5n以上的太阳能级多晶硅铸锭。
The recombination activity of grain boundaries (GBs) in casting multicrystalline silicon (mc-Si) was investigated through an electron beam induced current (EBIC) technique.
本文利用电子束诱生电流（EBIC）对铸造多晶硅中晶界的复合特性进行了研究。
应用推荐