...开关是由一第二辅助线SL2所控制,至少部分的这些第一辅助开关与该第二辅助开关是具有低临界电压;以及 多个存储单元(memory cell),是由这些字元线所控制,每个存储单元是位于相邻的两个次位元线之间。
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动态随机存 取记忆体(DRAM)的记忆胞 ( memory cell ) 是由一个电晶体与一个电容所组 成。电晶体控制读写开关,电容是否储 存电荷则代表数元 1 或 0。
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memory cell array 存储器存储单元阵列 ; 阵列 ; [计] 存储单元阵列 ; 存储器单元阵列
core memory cell 磁心存储匹元
single transistor memory cell 单晶体管存储单元
bipolar memory cell 双极存储单元 ; 双极内存单元
active memory cell [计] 有源存储元件 ; 现用内存格
persistent current memory cell 持续电流记忆单元 ; 持续电流存储元件
gaseous memory cell [自] 气体存储元件
bimorph memory cell 双压电芯片内存格
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