...金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种技术。
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, Ltd ,VPEC)1996年11月成立于桃园,主要以有机金属气相磊晶成长法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MO..
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Metal-organic Chemical Vapor Deposition 有机金属化学气相沉积 ; 相沉积 ; 金属化学气相沉积 ; 化学气相沉积
plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition 等离子体金属有机物化学汽相淀积
atmospheric-presure metal-organic chemical vapor deposition 常压金属化学气相沉积法
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Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) is a key technology in growing thin-films.
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一门制备薄膜材料的关键技术。
The device structure is optimized firstly, then the structure is grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
首先优化设计了器件结构，并利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）进行了器件的外延生长。
A novel high reflectivity type of semiconductor saturable absorption mirror grown by metal organic chemical vapor deposition is presented.
利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体：高反射率半导体可饱和吸收镜。
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