...普资讯网 发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple qu..
基于8个网页-相关网页
...普资讯网 发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple qu..
基于4个网页-相关网页
...普资讯网 发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple qu..
基于4个网页-相关网页
常用的技术有液相磊晶成长法(Liquid Phase Epitaxy,LPE)及有机金属气相磊晶法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,MOVPE)等。在蓝/绿光二极体的制作上,多半是以高温MOVPE磊晶法生产。
基于4个网页-相关网页
应用推荐