multi-quantum well structure
目前使用最为广泛且最有效率的芯片结构为多量子阱结构（Multi-Quantum Well Structure） [7] 。 对于 LED 而言，外延片与衬底的晶格常数以及热涨系数是否匹配、外延片制备工艺等都会 直接影响晶格的缺陷密度。
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multi-quantum well structure
多量子阱结构
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The polarization dependent optical confinement factor of waveguide structure with mixed strained layer multi quantum well has been discussed in this paper.
本文从理论上对混合应变量子阱结构(既有张应变量子阱又有压应变量子阱)的光学限制因子进行了讨论。
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