...SICA SINICA》-2005 刊 ISSN : 1000-3290(2005)54(03)/1373-05 研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度(negative bias temperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响,通过实..
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Negative Bias Temperature Instability 负偏压温度不稳定性 ; 不稳定性 ; 负栅压偏置不稳定性 ; 负偏压温度不稳定效应
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