他表示，英特尔仍然认为双向通用记忆体(ovonic unified memory，OUM)，也称为相变记忆体，是最有前景的非挥发性记忆体替代者。
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电子所表示，2004年将与台湾地区业界共同开发的技术为高性能磁性内存(MRAM)及相变化内存(Ovonic Unified Memory，OUM)、印刷制程与奈米材料等前瞻显示技术、以及微型无线网络模块整合缩装(SiP)技术等。
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他表示，英特尔仍然认为双向通用记忆体(ovonic unified memory，OUM)，也称为相变记忆体，是最有前景的非挥发性记忆体替代者。
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