...空穴两种载流子参与导电 的情况分为三类： 1) 单极型器件 2) 双极型器件 3) 复合型器件 由一种载流子参与导电的器件（P-MOSFET） 由电子和空穴两种载流子参与导电的器件 （SCR、GTO、GTR） 由单极型器件和双极型器件集成混合而成 的器件（IGBT） 2010-9-9 第2...
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Moreover, a factor of sensitivity affecting the unique solution of optimal parameters is analysed and some modified methods are provided for MOSFET p...
本文还分析了影响参数优化唯一解的灵敏度因素，提出了对MOSFET器件参数优化的一些改进方法。
When C4 does charge fully (the lower side reaches close to 0v), the P-channel MOSFET Q6 is turned on, effectively shorting out the motor, and acting as a brake.
当C4的不负责，充分(下侧达到接近0 V)，P沟道MOSFET六题是开启，有效地缩短了汽车，和作为一个制动。
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