...的制作工艺接近极限,可扩展性越来越差,它已经无法满足当前市场对于高性能、大容量的存储器需求。相变存储器(Phase Change Memory,PCM)是一种新型存储器,它具有非易失性、高集成度、低静态能耗、字节寻址等优点,因而备受关注。
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相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS...
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从技术来看，相变化内存（Phase Change Memory）是拥有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗辐射等多项优点之非挥发内存，采用相变化薄膜作为相变化内存之核心，具有与传...
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度较DRAM快逾千倍 在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中，全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣，并投入大量时间从事研发，最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破，据称可让PCM...
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chalcogenide phase-change memory 硫化物相变存储器
phase change memory and switch 相变储存器与开关
phase-change random access memory 相变随机存储器 ; 相变随机存储记忆体 ; 存储器
phase change random access memory 相变内存技术
phase-change semiconductor memory 相变型半导体存储器
Then, the principles of phase change memory were discussed, including materials analysis, cell structure and basic performances.
详细介绍了非挥发性相变存储器发展历史，重点论述了相变存储器的原理，包括材料分析、器件结构及基本性能等，通过和其他存储器比较，阐述了相变存储器的主要优点，调研了目前国际最新的研发状况及相变存储器关键技术的研究重点。
参考来源 - 相变存储器存储单元设计与关键制备工艺As the key functional material of the Phase change memory application, phase change material interests researchers around the world for the memory application and the delicacy of itself.
相变材料是相变存储器的核心功能材料，其广泛的应用前景和诸方面的微妙性质引发了各国学者的研究兴趣。
参考来源 - 相变材料研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The invention relates to a phase change memory.
本发明有关于一种相变化存储器。
Related one-time programmable devices, phase change memory devices and electronic systems are also disclosed.
还公 开了相关的一次可编程器件、相变存储器件和电子系统。
A phase change memory formed by a plurality of phase change memory devices having a chalcogenide memory region (28) extending over an own heater (26).
一种由多个具有在自身的加热体(26)上方延伸的硫属化物存储区(28)的相变存储器件形成的相变存储器。
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