相变内存技术(phase change random access memory (PCRAM)): 据文章的作者解释，PCRAM相变内存技术基于相变化材料的相变属性。
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phase-change random access memory 相变随机存储器 ; 相变随机存储记忆体 ; 存储器
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Diode is considered to be the best driver of high-density phase change Random Access Memory (PCRAM) for its advantage of the cell area.
由于二极管在单元尺寸上的优势，被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。
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