利用复晶矽活性离子蚀刻系统(Poly-Si Reactive Ion Etching System, Poly-Si RIE)干蚀刻牺牲 层，以定义出 CMUT 空腔及蚀刻通道的区域。
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poly-si reactive ion etching system
多晶硅反应离子蚀刻体系
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