所有的芯片都只有一个多晶硅层（polysilicon layer），其余的都是用于为了构成芯片逻辑而作晶体管连接的金属层（metal layer），晶体管只位于多晶硅层。
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Portions of the oxide layer are removed to substantially planarize the trench-filled oxide layer as the first polysilicon layer.
所述氧化层的部分被移除，以使所述沟槽填充的氧化层作为第一多晶硅层基本平面化。
The first polysilicon layer also includes a void therein.
第一多晶硅层还包括在其中的空隙。
A transistor may be formed with a first polysilicon layer covered by a dielectric.
晶体管可以形成为具有被电介质覆盖的第一多晶硅层。
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