其中，三星表示，DDR4产品将采用新虚拟开汲极(Pseudo Open Drain)接口技术，传输速度可较目前主流DDR3规格产品快上1倍，数据传输率每秒可达2.13GB，DDR4电压1.2伏特，若搭载于笔记本电脑(NB)可降...
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DDR4标准预计将纳入的其他特性还包含一个DQ汇流排上的伪开漏极(pseudo open drain)介面、geardown模式时数据率2,667MHz或更高，数据组(bank group)架构、内部产生VrefDQ以及学习模式(training modes)，JEDEC表示。
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三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。
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pseudo-open drain 界面技术
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