... L引言 为了获得大规模和超大规模集成电路工艺所需要的p+一n浅结,利用分子离子BF犷注人结合快速热退火(RaPid Thermal Annealing,RTA)是一种有效的途径,因而引起了各国学者的重视氏刀.然而,BF才注人多晶硅薄膜及其退火行为研究得较少囚.
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...击穿电压；快速退火[gap=1310]Key words: AlN thin films; magnetron sputtering; breakdown voltage; rapid thermal annealing(RTA)...
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实验比较了常规热处理(conventional thermal annealing,CTA)和快速热处理(rapid thermal annealing,RTA)方式,用X射线衍射和能量散射X射线能谱研究了热处理方式和热处理制度对薄膜方阻的影响,分别得到了CTA...
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rapid thermal annealing process 快速加热退火制作工艺 ; 快速退火工艺
rapid thermal annealing rta 快速热退火
vacuum rapid thermal annealing 真空快速热退火
rapid thermal annealing technique 快速退火工艺
recurrent rapid thermal annealing 快速循环退火
rapid thermal annealing rta technique 快速退火工艺
In this paper, we implanted Mn+ ion of different dose into undoped semi-insulating (100) GaAs substrate then performed rapid thermal annealing in different temperature and time.
本课题采用离子注入的方法将不同剂量的Mn~+注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs单晶衬底中，然后进行不同温度和时间的快速热退火处理，研究了不同的退火条件对样品注入层的晶体结构、电特性和磁特性的影响以及Mn~+在样品中的存在状态与这些性质之间的关系。
参考来源 - 掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究In comparison with classical annealing, rapid thermal annealing could eliminate thermal donors much more quickly.
与常规热处理工艺相比，快速热处理能有效消除铸造多晶硅中的热施主。 而且RTP的温度越高，热施主的消除效果越好。
参考来源 - 铸造多晶硅材料中氧缺陷的研究Thermal stability of hexagonal Mg_xZn_(1-x)O films with high Mg concentration x=0.53 were especially studied by rapid thermal annealing the films in O_2 ambient and in the temperature range of 200-1000 oC.
并选择高Mg含量(53%)的Mg_xZn_(1-x)O六方相薄膜在200-1000℃O_2气氛中进行快速热退火,研究其结构和光学性质的热稳定性。
参考来源 - MOCVD法制备MgFurther more, the annealing temperature was confirmed through DTA analyzing. And the annealing manner was confirmed by AFM as rapid thermal annealing.
在制备过程中采用差热分析方法,确定了薄膜各生长阶段的温度范围,并通过原子力显微镜确定了快速退火的热处理方式。
参考来源 - PZT薄膜制备、结构与热释电特性测试·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is studied.
最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。
The results indicate that the pyrochlore phase was restrained successfully by layer-by-layer rapid thermal annealing method.
实验结果表明，逐层快速退火工艺可有效抑制焦绿石相的形成；
The results indicate that the pyrochlore phase is restrained successfully by the layer-by-layer rapid thermal annealing method.
结果表明：层层快速退火工艺，可有效抑制焦绿石相的形成。
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