low power schottky diode 低功耗肖特基二极管
SiC Schottky diode 碳化硅肖特基二极管 ; SiC肖特基二极管
Schottky diode clamping 肖特基二极体定位
SCHOTTKY-DIODE 肖特基二极管
LPSD Low Power Schottky Diode 低功耗肖特基二极管
Schottky Barrier Diode 肖特基势垒二极管 ; 极管
saturation delay Schottky diode 饱和延迟肖特基二极管
schottky diode fet 肖特基势垒栅场效应晶体管
organic schottky diode 有机肖特基二极管
Schottky diode is introduced first. Then, various mixers are compared, and the millimeter wave planar integrated mixer is design and fabricated.
首先对肖特基二极管做了简介，然后对已有的混频器电路做了比较，最后设计了Ka频段平衡混频器。
参考来源 - 毫米波集成接收前端的研究With MEDICI software,Simulation results show that junction temperature coefficient of schottky diode is -6.70mV/℃.
MEDICI软件仿真结果表明所设计的肖特基二极管结温度系数为-6.70mV/℃。
参考来源 - 多晶硅纳米薄膜压力传感器设计·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Microwave nW power sensor USES low barrier schottky diode (LBSD) as a component for testing the power of microwave signals.
本文介绍了使用低势垒肖特基二极管(LBSD)作为检测微波信号功率元件的微波毫微瓦功率传感器。
Also, the added schottky diode can be easily realized by schottky contact in the drain of the NMOSFET, which does not add chip area.
且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现，工艺简明可行又无须增加芯片面积。
If the panel has a very low voltage output (less than 33 cells in series), it is an advantage to employ a Schottky diode in this place.
如果面板上有一个非常低的输出电压(小于33系列中的细胞)，这是一个优势，采用肖特基二极管，在这个地方。
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