... 电压突然出现 在PAD 上时，由于电容耦合作用NMOS 栅极电压跟着上升，故大尺寸NMOS 均匀导 通而进入骤回崩溃区(snapback region)，ESD 放电能量便可均匀分散到每一叉 指来承受，真正发挥大尺寸晶体管器件应有的ESD 防护水准。
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snapback region
快速恢复区
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