...型GaN上制备欧姆接触电极,应用传输线模子(TLM)的办法测试欧姆接触的比电阻率,商量了比接触电阻率(specific contact resistivity)的测试办法和欧姆接触电极的制造工艺,取得的重要研讨结果以下：1、在搀杂浓度为3×1018cm-3的N型GaN衬底上,选择Ti/Al/Ti/Au的多层...
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The results indicated that the increase of specific contact resistivity after annealing at 800℃was due to C stacking at contact interface.
结果表明800℃退火比接触电阻的增加是由于接触界面处C堆积造成的。
参考来源 - TiC/n型4H·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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