... continuous annealing furnace 连续退火炉 thermal annealing 加温退火；热处理（退火） spheroidizing annealing 球化退火 ...
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... 接面蓝色发光二极体；随后日亚化 学公司的中村修二等人，使用氮化镓当缓冲层（Buffer layer），以热处理 （Thermal Annealing）取代低能量电子束照射，成长氮化铟镓（InGaN） /氮化镓多重量子井结构的主动层，并以氮化铝镓（AlGaN）及氮化镓为 障壁层，经过以...
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rapid thermal annealing 快速热退火 ; 快速退火 ; 快速热处理
thermal annealing nitridation 热退火n化
Ion implantation and Thermal annealing 离子布植与热退火
rapid thermal annealing process 快速加热退火制作工艺 ; 快速退火工艺
conventional thermal annealing 实验比较了常规热处理 ; 常规热处理
thermal annealing on 热退火对
The best thermal annealing temperature is proved to be 800℃.
可见,800℃的热处理温度是最佳处理温度。
参考来源 - SiOIt was found that rapid thermal annealing (RTA) process is able to enhance crystallinity of HAP.
发现热处理可提高HAP的晶格完整性。
参考来源 - 基于多孔硅衬底的纳米薄膜材料的制备与表征·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The influence of thermal annealing on DKDP crystals grown at different rates was studied.
分别对不同生长速度的DK DP 晶体进行了退火处理。
After thermal annealing about 60% of radiation damage induced by implantation can be restored.
在热退火后，约60%的注入引起的辐射损伤可以得到恢复。
They can be passivated with hydrogen plasma annealing and reactivated by subsequent thermal annealing in vacuum.
氢等离子体退火对电活性的位错态有显著的钝化作用。
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