...m CMOS 工艺参数对该电路 进行了仿真,结果表明所设计的电路比普通四晶体管有源像素传感器(4 Transistor Active Pixel Sensor,4T APS)电路的动 态范围提高了约62dB,并且在低光照时保持了普通4T APS 的高信噪比和灵敏度的特点. ...
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4 Transistor Active Pixel Sensor 晶体管有源像素传感器 ; 结果表明所设计的电路比普通四晶体管有源像素传感器
transistor active pixel sensor
晶体管有源像素传感器
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