...上灯饰灯具商城 生长外延材料的实现方法有多种，其中包括液相外延(Liquid Phase Epitaxy，LPE)、汽相外延(Vapor Phase Epitaxy，VPE)、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)和..
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... 分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy，MBE） 气相磊晶法（Vapor Phase Epitaxy，VPE） 氢化物气相磊晶法（Hydride vapor phase epitaxy，HVPE） ...
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3.2 气相外延 硅气相外延(vapor phase epitaxy，VPE )，指 含Si外延层材料的物质以气相形式输运至衬底， 在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生 长出...
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...片表面就可以沉积一层新的晶体 LPE方法简单、廉价，但外延层的质量不高 IC制造工艺 • 气相外延生长（VPE，Vapor Phase Epitaxy） VPE是在气体环境下在晶体表面进行外延生长 常用的方法是卤素传递生长法 硅片放在反应器中的石墨基座...
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Hydride Vapor Phase Epitaxy 氢化物气相外延 ; 氢化物气相磊晶法 ; 氢化物化学气相淀积
Metal organic vapor phase epitaxy 金属有机气相外延 ; 气相外延 ; 材料金属有机气相外延 ; 相磊晶法
Hybride Vapor Phase Epitaxy 卤化物汽相外延
vapor phase epitaxy growth 气相外延生长
organometallic vapor phase epitaxy 金属有机物气相外延
hydride vapor phase epitaxy hvpe 氢化物气相外延
metallo organic vapor phase epitaxy 有机金属汽相外延
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