The invention provides a seed crystal support for growing a silicon carbide crystal with high quality by a physical vapor phase transport method.
本发明公开了一种高效生长碳化硅晶体的方法，即通过快速生长制备高质量导电型碳化硅晶体的方法。
The thermal non-equilibrium distribution through the interface region is caused by the energy transport between the liquid and the vapor phase.
对于平衡条件下的汽液界面，由于汽液相变的影响，在紧贴界面处存在一个分子平均动能非平衡分布的区域。
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