– 多晶硅刻蚀率的变化(Variations in Polysilicon Etch Rate) – 扩散区相互影响 刻蚀速率与刻蚀窗的大小有关，导致隔离大的多 晶宽度小于隔离小的多晶宽度 均与周围环境有关 同类型扩散区相...
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variations in polysilicon etch rate
多晶硅蚀刻速率的变化
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