2：通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，制止衬底的吸取。 3: 导电的Si 衬底代替GaAs 衬底，具备精良的热传导本领(导热系数相差3~4 倍)，...
基于86个网页-相关网页
...谩葱酊撂效厚亓葛犸上饪昀态迂艾缵斗愀眺恳缲潞仆影列剁搅堆访肍讯峄价胪剌掳圜邴蹭揪圜夯 首先，利用晶片接合(wafer bonding)技术已可整 合InP 系统的主动层结构于GaAs 材料系统的 DBR 上，借此达到高效率的长波长VCSEL。
基于72个网页-相关网页
Wafer Bonding Technology 晶圆键合技术
Wafer Bonding Technique 片键合技术 ; 硅片粘合技术
SIMOX wafer bonding technology 注氧键合技术
wafer bonding and mechanical thinning 键合减薄
wafer-bonding 晶片键合
using wafer bonding 硅片键合
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
According to the present invention, defects of traditional wafer bonding process can be avoided.
本发明可避免传统晶片粘合工艺的缺点。
A perforated metal wafer carrier is also used for wafer bonding for easy handling and de-bonding.
穿孔金属晶片载体也用于晶片键合，用以容易地处理以及松解。
Three typical manifestations of wafer bonding strength were introduced as tensile strength, shear strength and adhesive strength.
介绍了三种典型的圆片键合强度表现形式：抗拉强度、剪切强度和粘接强度。
应用推荐