文摘： 本文介绍了用砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)作为功率输出级的高效率遥测发射机的设计原理。该GaAs FET的效率，用硅双极技术是达不到的。
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驱 动放大器选用砷化镓场效应管 ( GaAs FET)作为放大管, 采用 s参数方法近似设计。末级功率放大器选用增强型 LDMOS大功率场效应管作为放大管,利用管子的非线性 模型,采用谐波...
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直至1974年，美国Plessey公司用砷化钾场效应管（GaAs FET）作为有源器件，GaAs半绝缘衬底作为载体，制成了世界上第一只单片放大器之后，这一目标才得以实现。
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GaAs FET preamplifier 砷化镓场效晶体管前级放大器
GaAs FET nonlinearity 砷化镓场效应管非线性特性
GaAs microwave power FET 砷化镓微波功率场效应晶体管
GaAs source-couple FET logic GaAs源耦合场效应管逻辑
The device could be integrated monolithically and planarly with GaAs FET.
这种器件可与FET实现平面集成。
In order to make the GaAs FET having the required negative resonator to oscillator, we use the common source configuration and add the appropriate drain open stub microwave line.
为了使砷化镓场效应管具有建立振荡所需的负阻，我们将其配置为共源结构并在漏极添加合适的开路微带线。
It lists and analyzes the operating principle and application of the single diode, double diode and single GaAs FET linearer and finds that they are all inconvenient to be adjusted.
列举和分析了单二极管型、二极管对型和单场效应管型线性化器的工作原理和实际应用价值，发现其都具有不便于调整的缺点。
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