... 半导体 semiconductor 金属氧化物半导体 metal oxide semiconductor; mos metal-oxide semiconductor; oxide semiconductor 垂直金属氧化物半导体 vmos vertical metal oxide semiconductor ...
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Complementary Metal Oxide Semiconductor [电子] 互补金属氧化物半导体 ; 互补性氧化金属半导体 ; 半导体 ; 互补金氧半导体
combined metal oxide semiconductor 复合金属氧化物半导体
metal-oxide semiconductor 金属氧化半导体 ; 金属 ; 金氧半导体 ; 半导体
vertical metal oxide semiconductor 垂直金属氧化物半导体
metal-oxide semiconductor memory 金属氧化物电阻器
bipolar metal oxide semiconductor 双极金属氧化半导体
v groove metal oxide semiconductor 型槽金属氧化物半导体
N-channel metal oxide semiconductor 通道金属氧化半导体
high speed metal oxide semiconductor 高速金属氧化半导体
The design based the complementary metal oxide semiconductor(CMOS) has a great proportion in the integrated circuit design field. MOS transistor as a basic device of the integrated circuit,its model parameter extraction is the key essential string.
基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。
参考来源 - MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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