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For the sake of researching of radiation effect of MOS structure irradiated by electron, we adopted 0.
为了研究MOS结构的电子辐照效应，采取了能量为0。
The investigated results are very important for the research and fabrication of the MOS structure gas sensors.
研究结果对于MOS结构的半导体气敏传感器的研制具有重要的意义。
The stability and composition of oxidic film and the C-V characteristics of MOS structure have also been tested and analysed theoretically in this paper.
对氧化膜的组分和稳定性，以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。
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