其中快速热处理(rapid thermal processing)之相关设备,近年来在大面积,高密度及单晶圆处理(single-wafer processing)的趋势下日形重要.
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高温制程_互动百科 硅两种薄膜的应用状况虽然不同,却都是在类似的制程反应室中经高温(600℃至1200℃)沉积而得。 即使快速高温制程(Rapid Thermal Processing, RTP)之工作温度范围与多晶硅及磊晶硅制程有部分重叠,其本质差异却极大。RTP并不用来沈积薄膜,而是用来修正
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Advanced AG610 Rapid Thermal Processing System.
高级的AG610快速退火炉系统。
The annihilation of grown-in oxygen precipitates in heavily As-doped CZ silicon by rapid thermal processing (RTP) was investigated.
研究了高温快速热处理(RTP)对重掺砷直拉硅片中的原生氧沉淀的消融作用。
The effect of rapid thermal processing (RTP) on oxygen precipitates profile and denude zone (DZ) in Czochralski (CZ) silicon wafer during simulating CMOS processing is investigated.
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。
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