...学法两大类，干法包括真空蒸发、气相沉积（物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（cvD））、溅射（射频磁控溅射法（RF Sputtering）、等离子体溅射）以及离子镀等方法，N．Y：Kimd等【l】通过磁控溅射法制备得到TiNz-Si02双层抗静电薄膜。
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目前常用的制备 PZT 铁电薄膜的方法有溶胶凝胶法 (Sol-gel) 、射频磁控溅射(RF Sputtering)、金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 、脉冲激光 沉积(PLD) 、分子束外延(MBE) 等。
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Rf-sputtering 射频溅射
RF Magnetron Sputtering 射频磁控溅射 ; 射频磁控溅射法 ; 溅射技术
RF sputtering equipment 射频溅射设备
RF Sputtering InSb Film 溅射InSb薄膜
magnetron rf sputtering system 磁控射频溅射
reactive RF magnetron sputtering 反应rf磁控溅射
As following:1) BST thin films were prepared on Pt/SiO2/Si(100) substrates by RF sputtering, then annealed in the different temperature (550℃, 600℃, 650℃, 700℃, 750℃).
研究内容如下:1)用射频溅射在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备250nm左右的BST薄膜,然后对其进行不同温度(550℃、600℃、650℃、700℃、750℃)的常温退火处理。
参考来源 - 氧化物薄膜应力的X射线衍射表征与研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Dielectric breakdown of BST thin films prepared by RF sputtering is studied in this paper.
采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性。
Through the technology of RF and DC reactive sputtering manufacture, H2S gas sensors have been developed on silicon substrate on which a heater made of Pt were attached.
通过交流和直流反应溅射，我们以硅基片（表面上有白金加热电极）为基底制作H_2S气敏元件。
Thin films of lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) were deposited by rf magnetron sputtering from oxide targets onto unheated Si substrates.
用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。
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