应变硅 （Strained silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升...
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台积电的FinFET在这条走廊上还使用了应变硅晶（strained silicon）的技术，在外表薄薄一层的硅结晶中加入了3-5族原素的杂质一同结晶，由于3-5族晶格较大，所以会对靠近表层（很不巧也就是形成通道...
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此外，处理器采用的新型增强型应变硅技术（Strained Silicon）也为降低漏电流贡献了不小的力量。理论上讲如果能迫使硅原子的间距加大，就可减小电子通行所受到的阻碍，也就相当于减小了电阻。
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同时，这也是Intel第一款采用张力硅（strained silicon）技术的移动芯片。在张力硅中，由于原子在晶格中的间距更大，因此当电子通过晶格时受到的阻抗会更低。
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Dual-Stress Strained Silicon 双应力应变硅 ; 力应变硅
strained silicon technology 应变硅技术
Fourth-generation Strained Silicon 第四代应变硅技术
Enhanced Strained Silicon 增强型应变硅技术
The second generation Strained Silicon 使用改进型应变硅技术
strained silicon wafer 成应变硅晶片
Strained silicon SOI 应变硅SOI
Stress Strained Silicon 双应力应变硅
generation Strained Silicon 造工艺采用了他们的第四代应变硅
以上来源于: WordNet
The technology will be based on a planar process with enhanced high-K metal gate (HKMG), novel strained silicon, and low-resistance copper ultra-low-K interconnects.
该技术将基于一个具有增强的高- k金属闸（HKMG平面工艺），新型应变硅，低电阻铜超低K互连。
Strained silicon is a fundamental component of all recent microprocessors. The reason for its success is that local strain-induced deformation in the crystal lattice improves processor performance.
“变形”硅是所有最新的处理器的基本组成部分，原因是：晶格里应变诱发的形变提升了处理器的性能。
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