...− = σ ) ( n o s p p p s − = (24) 此处 s t p th p N v s σ = , s p 是电洞的表面复合速度(Surface recombination velocity)，表面复合速度对饱和电流有很大影响，表面复合速度越快， 饱和电流也会越大，导致光电流减少，影响到太阳电池的效率。
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晶硅薄膜来降低载子的表面再结合速率（Surface Recombination Velocity），以提升开 路电压（Open Circuit Voltage）与短路电流（Short Circuit Current），遂而增加光电转
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Using these results, we discuss minority carrier lifetime and surface recombination velocity of some wafers.
可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。
This paper presents a new solution of minority carrier continuity equation for a wafer with different surface recombination velocity on its two surfaces.
本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。
An extensive study has been carried out on the effect of thermal annealing on carrier lifetime and surface recombination velocity, which affect the final output of the solar cell.
我们又进一步研究了退火对少数载流子寿命和表面复合速率的影响，因为其对太阳能电池的最终效率影响很大。
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