4．金属有机化学气相沉积( Metal Organic Chemical Vapor Deposition): 金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一种利用有机金属在加热衬底上的热分 解反应进行气相外延生长薄膜的方法。
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在研制GaAs叠层太阳电池的方法中,金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition, MOCVD)技术是最优的。
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有机金属化学气相沉积 Metal-organic Chemical Vapor Deposition ; OMCVD
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金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一门制备薄膜材料的关键技术。
Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) is a key technology in growing thin-films.
MOCVD是金属有机化学气相沉积技术的简称，即通过MOCVD设备，在衬底上生长材料晶体的一种方法。
MOCVD stands for Metalorganic Chemical Vapor Deposition, is one technology used to grow wafers from underlay with the MOCVD equipment.
金属有机化学气相沉积法(MOCVD)是一种先进的涂层制备方法，采用此方法制备的涂层具有质量高、完整性好、厚度易于控制等优点。
(MOCVD) is an advanced preparative technique. Coatings prepared by the method have many strongpoints such as high quality, good completeness and good controllability.
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