目前可替代ITO且已量产的导电材料有银与铜两种材料（图7），使用银材料的有银纳米线（Ag Nanowire）、卤化银（Ag Halide）与银金属网格（Ag Mesh）等，而使用铜材料的有铜金属网格（Cu Mesh）。
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The growth mechanism of Ag_2Te nanowires is discussed.
我们对碲化银纳米线的生长机理进行了分析。
参考来源 - 纳米碲化物（Ag·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
本发明属于高介电材料技术领域，具体涉及一种含有银纳米线的高介电复合材料的制备方法。
The present invention belongs to the technical field of high-dielectric material, and specifically relates to a method for preparing a high-dielectric material containing silver nanometer line.
本发明制备的含银纳米线的高介电复合膜 具有高的介电常数，很好的柔韧性，而且均匀致密。
The high-dielectric composite film which is prepared by the invention and comprises silver nanometer line has high dielectric constant, excellent flexibility, uniform and compact structure.
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