双极型晶体管

双极型晶体管

简明

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bipolar transistor
双极晶体管：一种使用电子和电子空穴作为载流子的晶体管，允许在其一个端子注入小电流来控制在两个端子之间流动的更大电流，使得该器件能够进行放大或开关操作。

网络释义
专业释义

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bipolar transistor
双极型晶体管 ( bipolar transistor ) ：一种晶体管，由一个发射极，基极和收集极组成．其行为通过由收集区注射到基区的少数载流子决定．有时也称NPN或PNP型晶体管来...
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Bipolar Junction Transistor
双极型晶体管( 双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,英文缩写BJT) 英文缩写BJT Transistor,英文缩写BJT) 场效应管( 场效应管(Field Effect Transistor,英文缩写FET): 英文缩写FET):单...
3
NPN PNP
...esla 可以模拟：电阻；电容；电感；电位器（仅在专业版中可用）；灯泡（仅在专业版）；理想运算放大器；双极型晶体管（NPN PNP）；M ..

短语

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绝缘栅双极型晶体管
IGBT ; Insulated Gate Bipolar Transistor ; Trench IGBT
2
异质结双极型晶体管
HBT ; heterostructure bipolar transistor ; SiGe HBT
3
双异质结双极型晶体管
DHBT

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双语例句

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空间电磁脉冲注入硅双极型晶体管后可能会导致晶体管烧毁。
Bipolar junction transistors may be burned out by injected electromagnetic pulse.
2
在微波双极型晶体管中，收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。
The thickness of collector is one of the factors that limit cut-off frequency in microwave bipolar transistors.
3
该系统采用IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，PWM（脉宽调制）控制技术。
The system adopted insulated gate bipolar transistor (IGBT) as its main circuit and pulse-width modulating (PWM) technology.

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百科

双极型晶体管
由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

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