外延生长

/ wài yán shēng zhǎng /

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[电子] epitaxial growth
注7）在单结晶底板上使单结晶生长被称为外延生长（Epitaxial Growth），是制造半导体器件时的重要技术。液相外延（LPE：Liquid Phase Epitaxy）是其中的一种。
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Epitaxy
欢迎访问《半导体学报》网站！关键词: SiC 化学气相沉积 外延生长[gap=702]Keywords: SiC CVD epitaxy
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Epigrowth
...学位及国外工作经验者优先；3、具有五年以上半导体材料方面工作经验，例如：机械化学抛光(CMP)，晶片湿法清洗外延生长(Epigrowth)等。
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epitaxy growth
在IC产业中，在重掺或高质量的表面外延生长（ epitaxy growth ）一层薄膜变得越来越受到重视，应用也越来越普遍。

短语

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汽相外延生长
vapor growth epitaxy ; vapor phase epitaxial growth ; vge ; vapor phase epiautoal growth
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外延生长炉
epitaxial furnace ; epitaxial reactor
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液相外延生长
liquid phase epitaxial growth ; LPE ; 晶体 rheotaxial growth

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从外延形貌照片中观察到了外延生长台及生长螺线。
Epitaxial growth steps and growth spirals were observed from epitaxial film appearance photograph.
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使用X射线衍射和透射电镜分析，表明异质结是c轴取向外延生长。
X-ray diffraction and transmission electron microscopy establish that LCCO grew epitaxially inc-axis orientation on LCMO.
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本文根据实际测量结果，一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。
Based on actual measurement results, the influence of process quality of semiconductor substrate wafers on epitaxial growth is described.

外延生长
外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术（见隔离技术）和大规模集成电路中改善材料质量方面。

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