漂移区

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[电子遗] Drift region
...层上，结果造成浅掺杂外延层中存在极大的电场，载流子在高场作用下漂移渡越该浅掺杂层，故通常将其称作为漂移区（Drift Region），这是新型功率半导体器件所共有的一个特点。 漂移区决定了器件导通时的电压降、功率损耗以及器件的静态和动态特性。
2
N-drift
器件中包含了一个穿透大部分n漂移区（n-drift）的深沟道。一只绝缘的深源电极（insulated deep source electrode）借由一个厚氧化层与n漂移区隔离开来，它就是场板，并在阻塞（...

短语

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给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜soi器件的设计原理和方法。
Principle and method for designing high voltage thin film SOI devices with linearly doped drift region are given.
2
以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。
The drift drain resistance model is derived from the free carrier concentration analyzing in the drift region.
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该模型可用于薄外延阶梯掺杂和线性掺杂漂移区RESURF器件的设计优化。
This analysis model is available for the design of step drift doping profile RESURF device and linearly-graded drift RESURF device.

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