Indium gallium arsenide
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Indium Gallium Arsenide
此些试验是针对由砷化铟镓(indium gallium arsenide)所制作的量子点进行的。此些研究人员以方阵列的方式,在特定位置彷制了各种直径的量子点。
InGaAs
...在要求探测上升时间(探测器信号从峰值10%上升到峰值90%所需的时间)极快的电信应用中,通常使用砷化铟镓(InGaAs)作为探测器材料。
InGaAsP
InGaAsN ; GaAsInN
InGaAsSb