砷化镓

1
[无化] gallium arsenide
...二叔丁基过氧化物（Di-tert-butyl-peroxide）：作为聚合反应的引发剂等，建议归于类别3（致突变）； l砷化镓（Gallium arsenide）：作为微电子中的集成电路，建议归于类别2（生殖毒性）和类别3（致癌）； l磷化铟（Indium phosphide）：作为半导体材料，建议被...
2
gaas
...加上没有切入车用市场，因此规模不大，但看好节能法规带动下，台厂可望切入AC/DC供应链，提高产值规模。另外，由于砷化镓(GaAs)是半导体材料的一种，具有高频、抗辐射、耐高温等特性，可做为高频及无线通讯之IC元件，其中最主要应用在行动电话与无线网路产品...
3
AsGa
一、引言空间站生产砷化镓（AsGa）和碲镉汞（CTeHgd）是我国航天技术和半导体生产的重要研究课题。
4
GeachAs
目前发光半导体资料主要由III-V族元素组成，例如磷化镓(GeachP)、砷化镓(GeachAs)， led二极管参数。氮化镓等等。

短语

1
磷砷化镓
GaAsP ; gallium arsenide photphide ; Ga realAsP ; Ga newAsP
2
砷化镓激光器
激光 gallium arsenide laser ; gaas laser ; GaL ; gaas laser,gaas laser
3
砷化镓场效应晶体管
gaas fet ; gallium arsenide fet ; gallium arsenide field effect transistor ; GaAs Field-Effect Transistor

1
早期LED的液晶层是砷化镓或者磷化镓做的，所以发出红光。
The crystal layer on early LEDs was gallium arsenide or gallium phosphide, which lent that reddish color.
2
根据公司的消息，真空管将不会被砷化镓晶体管取代。
According to the company, the large and heavy vacuum tube-based traveling wave tube amplifiers cannot be effectively replaced by GaAs transistors because they a much lower breakdown voltage.
3
这样就可以避免张力对于砷化镓元件损伤，但整个系统却表现出一种柔性。
This protects the rigid gallium arsenide components from strain, but the system as a whole is flexible and stretchable.

砷化镓
砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

点击反馈