绝缘栅双极型晶体管

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IGBT
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是功率器件技术演变的最新产品，被广泛地应用在汽车、家用电器、工业设备等多个领域，其最大的特点就是降低能耗，比如用在电视机...
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Insulated Gate Bipolar Transistor
技术介绍绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是电磁炉的重要组成部分。然而，由于绝缘栅双极型晶体管是一个大功率的功率管，在电磁炉上电的瞬间，若IGBT得到错误的驱...
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Trench IGBT
Vishay宣布，发布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT(绝缘栅双极型晶体管)平台。

短语

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该系统采用IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件，PWM（脉宽调制）控制技术。
The system adopted insulated gate bipolar transistor (IGBT) as its main circuit and pulse-width modulating (PWM) technology.
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提出了一种用PSPICE程序模拟绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性的方法。
A method to simulate the characteristics of insulated gate bipolar transistor (IGBT) with PSPICE program is proposed in this paper.
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本文阐述了MOS系列功率器件的特性、绝缘栅双极型晶体管和集成型功率器件技术，以及它们的应用。
The paper expounds MOS system power element's characters, insulated gate bipolar transistor and integration type power element's technology and its applications.

绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管　　insulatedgatebipolartransistor,IGBT，集MOSFET和GTR的优点于一身，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、通态电压低、能承受高电压大电流等优点，已广泛应用于变频器和其他调速电路中。 IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加...

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