载流子迁移率

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field effect mobility
早期非晶硅局限于逻辑开关与低分辨率面板的应用，低温多晶硅薄膜晶体管凭借着较高的载流子迁移率(Field Effect Mobility)，可以适当集成驱动电路于面板中，连线信号的减少降低外贴驱动IC、电路板面积与周边零组件的使用，减小了面板整体重量与体积，而...
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mobility of current carrier
公布中文名称：载流子迁移率 英文名称：mobility of current carrier 定义：载流子在电场作用下其漂移速度与电场强度的比例系数。应用学科：材料科学技术（一级学科）；材料科学技术基础（二级学科）；材料科学基础（二级学科）

短语

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同时，本发明的结构能增进在半导体元件中的电荷载流子迁移率。
At the same time, the structure of this invention can improve the electric load current carrier migration rate in the semiconductor component.
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本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量。
This method has been successfully applied to the measurements of impurity compensation and carrier mobility on high resistivity silicon materials.
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半导体器件，半导体器件制造方法，高载流子迁移率晶体管和发光器件。
Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, high carrier mobility transistor and light emitting device.

载流子迁移率
电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。

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