AlGaN
提出了半导体量子结构增强场发射基本原理与思想,在此基础上,介绍了以纳米多层(量子结构)铝镓氮(AlGaN)取向薄膜(极化诱导)作为薄膜冷阴极结构场电子发射增强功能层基本设计方法与物理模型。
AlGaInN ; AlInGaN