Indium gallium arsenide
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InGaAs
由FBH的研究人员开发的转移衬底工艺采用铟砷化镓(InGaAs)作为晶体管有源区材料。首先,在衬底晶圆上生长非常薄的磷化铟和InGaAs层。
GaAsInP
Indium Gallium Arsenide ; InGaAs
一种材料, 化学符号为InGaAs,主要应用于电子半导体领域,电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL(微系统实验室)最近演示了用InGaAs制作的晶体管,传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸,提高信息处理的速度.广泛用于探测器!