...具有与锌(Zn)同等以上的氧化物生成自由能的金属的混合物所构成的层构成，所述透明氧化物半导体物质为氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)、或者以氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)作为主要成分并含有添加物。6.
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例如，许多金属氧化物(例如ZnO)是非常重要的功能性材料，同时具有半导体性质，可以应用到光电领域可以预测的是，这样的半导体MOF材料将会在光电领域具有潜在的应...
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...：半导体光催化技术具有处理效率高,不存在二次污染等特点,对难降解有机污染物具有明显的优势,被认为是一种极具前途的环境污染深度净化技术。纳米氧化锌(纳米ZnO)作为一种重要的半导体光催化材料,在有机污染物光催化降解方面显示出良好的应用前景。
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...密的论文在解密后应遵守此规定） 签名：—皿导师签名： 日期：匕塑：芏：墨三 第1章绪论 1．1氧化锌概述 第1章绪论 氧化锌（ZnO）是一类重要的宽禁带II．VI族化合物半导体材料，属n型氧化物 半导体，其室温禁带宽度Eg＝3．37eV。
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The formation of single-crystal ZnO microsphere is a kinetic dominated growth process.
并揭示单晶氧化锌球的形成是一个动力学控制的过程。
参考来源 - 纳米ZnO光致发光及超低阈值随机激光材料研究Zinc Oxide (ZnO) is a wide band-gap semiconductor (3.37eV at room temperature) with the high exciton binding energy of 60 meV.
氧化锌是宽禁带(3.3ev)直接带隙n型半导体材料，并且具有较高的激子束缚能(60ev)。
参考来源 - ZnO荧光薄膜的制备与硫化研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
OBJECTIVE: to prepare ZnO cream and to establish its quality control method.
目的：制备氧化锌乳膏并建立其质量控制方法。
But now, there is not a standard method to estimate the aging degree of ZnO varistor.
目前在判断氧化锌压敏电阻的老化程度方面还没有标准的方法可循。
The effect of two parameters of size of ZnO nanostructures and substrate on field emission is studied.
研究了形貌尺寸大小和衬底这两个参数对场发射的影响。
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