研究人员使用 砷化铟 ( indium arsenide )制成的奈米线,因为它与金属之间不会形成萧特基障壁(Schottky barrier),电子可以很容易穿透奈米线与超导电极间的介面,而这也是产...
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indium arsenide detector 砷化铟探测器
Indium Gallium Arsenide 砷化铟镓 ; 铟镓砷化物
indium arsenide band gap 砷化铟电子迁移率
indium-arsenide hole mobility 砷化铟红外探测器
GaInAs gallium indium arsenide 镓铟砷
Dirk Grundler and his colleagues at Hamburg University in Germany have carried out extensive studies of EMR in indium arsenide-metal hybrid structures.
德国汉堡大学的昆德勒及其同事,也曾对砷化铟—属混合结构的EMR做过广泛的研究。
Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.
Luxtera的设计消除了使用昂贵的III - V化合物半导体材料(如砷化镓和磷化铟)的必要。
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