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The invention discloses a memory cell array arranged multiple in rows and lines.
本发明公开了存储器单元阵列，以多行与多列排列。
NROM memory cell, memory array, related devices and methods.
NROM存储器元件，存储器阵列，相关装置和方法。
The invention is directed to a resistive memory cell on a substrate and a resistive memory array.
本发明公开了一种位于基底上的电阻式存储器单元和电阻式存储器阵列。
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