A method of manufacturing a metal oxide semiconductor (500).
一种制造金属氧化物半导体的方法(500)。
A gate structure of the metal oxide semiconductor is etched (510).
将金属氧化物半导体的栅极构造蚀刻(510)。
The oxygen - sensitive characters of metal - oxide semiconductor oxygensensor is re - ported.
研究了一种氧化物半导体型氧敏元件的氧敏特性。
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