...性内存研讨会(Non Volatile Memory Conference)上,Adesto表示其 CBRAM 是以可编程金属化单元(programmable metallization cell,PMC)技术为基础,采用130奈米制程。
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...工程世界网 (Non Volatile Memory Conference)上,Adesto表示其 CBRAM 是以可编程金属化单元(programmable metallization cell,PMC)技术为基础,采用130奈米制程。
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